新しいデバイス、特にスマートフォンが出てくると、内蔵プロセッサに ニュメロ x di ナノメートル. しかし、これはどういう意味ですか？ 一部のユーザーは、明らかな理由から、この側面にほとんど注意を払っていませんが、スマートフォン (またはその他のデバイス) を探している場合、ナノメートルの数が非常に重要であることを知っておく必要があります。 良い 自治. その理由を説明します。
xナノメートルのリソグラフィプロセスについてよく話しますが、それは何を意味するのでしょうか? これは、デバイスのプロセッサ上のナノメートルです
プロセッサの主要な技術仕様の XNUMX つは、その中のナノメートル数です。 processo di 製造業. 時間の経過とともに、生産が進むにつれてこの数はさらに減少しました。 たとえば、最上位のスマートフォンでは、リソグラフ プロセスが 4ナノメートル、すぐに 3 ナノメートルでも。 ただし、この測定単位の重要性は、ユーザーにとって必ずしも明確ではありません。
ナノメートル (nm) は、長さの測定単位です。 サイズを理解するために、1 nm は 0,000000001 メートルに相当します。 肉眼では見えない極小の尺度。 プロセッサの特定のケースでは、ナノメートルは トランジスタのサイズ ハードウェアを構成するもの。 特定の CPU 内には何十億ものトランジスタがあります。 それらの主な機能は、 電気信号を使用して計算を実行する.
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この製造プロセスを携帯電話やコンピュータ チップで観察すると、他の仕様とは異なることがわかります。 技術の進歩で数が減る. 基本的に、技術が進歩すればするほど、トランジスタ間のナノメートルは少なくなります。 では、なぜこれが起こるのですか？ 微細化されたリソグラフィがデバイスにもたらす利点はいくつかあります。 主なもののXNUMXつは 以上 効率 エネルギッシュ. 小さいトランジスタは、その動作に必要なエネルギーが少ないことを示します。 これらすべてのマイクロ コンポーネントの完全なセットを考慮すると、使用量が少ないほど自律性が高くなります。
消費量が減少した結果、コンポーネントは最終的に 生成します メノ 熱. 言い換えれば、アプライアンスとマシンは簡単に加熱されず、動作中の冷却が少なくて済みます。 小さいトランジスタも より速く、より高いパフォーマンスを提供. これは、ナノメートルの数値が小さいということは、それらの間の距離が小さいことを意味するためです。 すなわち、電気信号をより速く伝えることができる。 また、密度が高くなるため、同じプロセッサに搭載できるトランジスタの数が増えます。
現在の技術シナリオでは、セグメントまたは半導体開発者に応じて、さまざまな製造プロセスを持つモバイル プロセッサとプラットフォームが見つかります。 特にスマートフォン セグメントでは (冒頭で述べたように)、業界は 4 nmへのプロセス (TSMC と Samsung を参照)。 これは、A16 Bionic などの最新のハイエンド チップセットが、 Snapdragon 8+ Gen 1、Dimensity 9000 Plus、および Exynos 2200 は、このリトグラフで正しく機能します。
PC では、AMD の最新の Ryzen 7000 ファミリが 5nm ノードで動作します。 一方、Intel は、7nm 製造を使用する「Intel 10」と呼ばれるプロセスを今でも踏襲しています。 半導体産業の次のステップは、 3nmリソグラフィー. デバイスがいつ到着するかについての正確な日付はまだありませんが、大量の商用生産は2023年に予定されています.
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TSMC はこの移行を遅らせると予想されているため、Samsung がそれよりも先に進む傾向にあります。 韓国の会社は前進したいと考えており、プロセスを開始する予定のプログラムを持っています 2年までに2025nm. これに加えて、ノード 1.4 ナノメートルは 2027 年に予定されています. 2021 年 2 月、IBM は XNUMXnm テクノロジーを搭載した世界初のチップを発表しました。 当時の同社の声明には、この結び目の利点が次のように詳述されていました。 スマートフォンのバッテリー寿命を XNUMX 倍に、データセンターの二酸化炭素排出量を削減し、ラップトップ機能を高速化し、自動運転車での物体検出を高速化するために協力します。
そして、1 nmに到達することは可能でしょうか? 2016 年 XNUMX 月に、 バークレーラボ 示した このノードを使用したトランジスタの作成。 物理法則の壁を破る. この偉業は、シリコンを MoS に置き換えることによって可能になりました 2 （二硫化モリブデン）。
