12年30月2021日に発売されたXiaomi120 Proは、ブランド自体が開発したSurge P1充電チップを搭載しているため、1Wシングルセル充電ソリューションを実装した最初のスマートフォンです。 さて、この点に関して、本日、上海南新半導体技術会社は声明を発表し、前の週にXiaomi Surge PXNUMXチップで異なる動作をしたか、または南新半導体によって製造されたものと同一であったと述べました。
1WサージP120チップはXiaomiによって開発されたのではありませんか？ 公式回答
したがって、同社は、NanxinSemiconductorによって開発および製造されたチップの8561つに内部コードSC4があることを指定しました。 このチップは超高電圧1：120充電アーキテクチャを備え、1Wシングルセル充電を実現し、12：1：4および1：120変換モードをサポートします。すべてのモードは双方向で動作し、50W有線、XNUMXWワイヤレス、逆ワイヤレス充電に到達できます。その他の充電機能。
8571年2021月にNanxinSemiconductorによってリリースされたNanxinSC4チップは、2Wデュアルセル充電を実現できる超高電圧120：4充電アーキテクチャを備えていますが、非常に高い電力を充電するために22：2：XNUMXモードをサポートします。
一方、Xiaomiが開発したSurge P1充電チップは、NanxinSC8571とはまったく異なります。 これは、デザイン、機能、位置が異なるXNUMXつの充電チップです。
Xiaomiの公式紹介によると、Surge P1は適応スイッチング周波数を備えた4：1の超高効率アーキテクチャを備えており、共振効率は最大97,5％、非共振効率は96,8％、熱損失は30％急落します。
同時に、Surge P1はXiaomiの最高の充電効率4：1充電チップでもあり、0,83W /mm²の超高電力密度を達成でき、業界をリードするRSPの1.18mΩmm²の超低LDMOSも備えています。 一般的に、従来の充電チップよりもはるかに高いチップです。
では、なぜこの誤解が生じたのでしょうか。 Xiaomi SurgeP1チップがNanxinSemiconductorの工場で製造されたという理由だけで、それはXiaomiがそれを開発したのではないという意味ではありません。 実際、デバイスのさまざまなコンポーネントを製造するために利用できる工場を持っている企業はほとんどありません。
